BSC060P03NS3EG 分立半导体 晶体管 MOSFET
商品详情
| 制造商: | Infineon | |
| 产品种类: | MOSFET | |
| RoHS: | 详细信息 | |
| 技术: | Si | |
| 安装风格: | SMD/SMT | |
| 封装 / 箱体: | TDSON-8 | |
| 晶体管极性: | P-Channel | |
| 通道数量: | 1 Channel | |
| Vds-漏源极击穿电压: | 30 V | |
| Id-连续漏极电流: | 100 A | |
| Rds On-漏源导通电阻: | 6 mOhms | |
| Vgs - 栅极-源极电压: | - 20 V, + 20 V | |
| Vgs th-栅源极阈值电压: | 1.9 V | |
| Qg-栅极电荷: | 61 nC | |
| 最小工作温度: | - 55 C | |
| 最大工作温度: | + 150 C | |
| Pd-功率耗散: | 83 W | |
| 通道模式: | Enhancement | |
| 商标名: | OptiMOS | |
| 封装: | Reel | |
| 封装: | Cut Tape | |
| 封装: | MouseReel | |
| 商标: | Infineon Technologies | |
| 配置: | Single | |
| 下降时间: | 34 nS | |
| 正向跨导 - 最小值: | 32 S | |
| 高度: | 1.27 mm | |
| 长度: | 5.9 mm | |
| 产品类型: | MOSFET | |
| 上升时间: | 139 nS | |
| 系列: | OptiMOS P3 | |
| 工厂包装数量: | 5000 | |
| 子类别: | MOSFETs | |
| 晶体管类型: | 1 P-Channel | |
| 典型关闭延迟时间: | 66 nS | |
| 典型接通延迟时间: | 15 ns | |
| 宽度: | 5.15 mm | |
| 零件号别名: | SP000472984 BSC6P3NS3EGXT BSC060P03NS3EGATMA1 | |
| 单位重量: | 100 mg |
