型号：IPB120N04S4-02 晶体管

分立半导体产品：晶体管 - FET，MOSFET - 单个

制造商：Infineon Technologies

系列：OptiMOS?

包装：卷带（TR）剪切带（CT）

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：40 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：120A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.8 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 110μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：134 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：10740 pF @ 25 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：158W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PG-TO263-3

封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

基本产品编号：IPB120

专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列，

主要应用于锂电池保护板/**无刷电调、电脑主板显卡/无刷电机、太阳能/LED照明电源、

UPS电源/电动车控制器、HID灯/逆变器、电源适配器/开关电源、镇流器、汽车电子等。

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