制造商:Texas Instruments

系列:NexFET?

包装:卷带（TR） 剪切带（CT）

产品状态:在售

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）:30 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 毫欧 @ 11A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.1V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）:7.8 nC @ 4.5 V

Vgs（最大值）:±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1370 pF @ 15 V

FET 功能:-

功率耗散（最大值）:2.6W（Ta）

工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:8-SON（3.3x3.3）

封装/外壳:8-PowerVDFN

基本产品编号: CSD17551

专业经营各种场效应管、三极管、IGBT、可控硅、稳压IC、肖特基、快恢复、DIP/SMD系列，

主要应用于锂电池保护板/**无刷电调、电脑主板显卡/无刷电机、太阳能/LED照明电源、

UPS电源/电动车控制器、HID灯/逆变器、电源适配器/开关电源、镇流器、汽车电子等。