晶体三极管的三种工作状态STM32F411VEH6TR

截止状态：当加在三极管发射结的电压小于 PN 结的导通电压，基极电流为零，集电极电流和发射极电流都为零，三极管这时失去了电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态，我们称三极管处于截止状态。

放大状态：当加在三极管发射结的电压大于 PN 结的导通电压，并处于某一恰当的值时，三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置，这时基极电流对集电极电流起着控制作用，使三极管具有电流放大作用，其电流放大倍数 β ＝ Δ ic/Δ ib，这时三极管处放大状态。

饱和导通状态：当加在三极管发射结的电压大于 PN 结的导通电压，并当基极电流增大到一定程度时，集电极电流不再随着基极电流的增大而增大，而是处于某一定值附近不怎么变化，这时三极管失去电流放大作用，集电极与发射极之间的电压很小，集电极和发射极之间相当于开关的导通状态。三极管的这种状态我们称之为饱和导通状态。STM32F411VEH6TR

根据三极管工作时各个电极的电位高低，就能判别三极管的工作状态，因此，电子维修人员在维修过程中，经常要拿多用电表测量三极管各脚的电压，从而判别三极管的工作情况和工作状态。

STM32F411VE基于ARM? Cortex?-M4内核，采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator?，在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark，这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。

STM32F411VEH6TR由于采用了动态功耗调整功能，通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。

STM32F411VE属于STM32F4系列的入门级微控制器，是尺寸zui小、成本zui低的解决方案，具有卓越的动态功耗效率。

STM32F411VEH6TR带DSP和FPU，具有512 KB Flash、100 MHz CPU和ART加速器。

它具有高集成度，适合用于消费、工业和家电领域等各种应用，并可用于物联网 (IoT) 解决方案。

如有需要，欢迎联系，电话：0755-82524647，手机/微信：13049865222，QQ：1711624997。

STM32F411VEH6TR参数

料号 STM32F411VEH6TR

特性 带DSP和FPU的高性能基本型系列ARM Cortex-M4 MCU，具有512 KB Flash、100 MHz CPU和ART加速器

状态 Active

封装 UFBGA 100 7x7x0.6 P 0.5 mm

内核 Arm Cortex-M4

操作频率(MHz) 100

程序存储器大小 (kB) 512

双组闪存 -

数据RAM大小(kB) 128

计时器(16-bit) 6

计时器 (32-bit) 2

其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick

12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 1

通道数量 16

D/A转换器 -

输入/输出端数量 81

显示控制器 -

CAN接口数量 -

I2C接口数量 3

SPI接口数量 5

I2S接口数量 5

USART接口数量 3

UART接口数量 -

存储器扩展接口 -

USB类型 USB OTG FS

加密技术 -

TRNG -

电源电压 (V) min 1.7

电源电压(V) max 3.6

静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 1.8

工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 100

工作温度(°C) min -40

工作温度 (°C) max 85

作为ST代理分销商，深圳西昂特科技备有STM32F411VEH6TR现货并提供样品零售。公司承诺所有产品均为原装，图片批次仅为参考，新批次随时更新，如需了解更多品牌，产品型号规格请咨询我们的销售人员，我们将为你详细解答。如需技术支持，请向西昂特科技技术部寻求选型支持。

深圳西昂特科技除了以上STM32F411VEH6TR以外，还提供多种规格多种品牌的32.768KHZ，16MHZ，20MHZ，24MHZ，30 MHz等频率晶体及有源或温补晶振，时钟芯片，陀螺仪传感器，滤波器，双工器，连接器等。如有需要，欢迎垂询。

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STM32F411VEH6TR