双极型三极管 STM32F411CEY3TR

一．双极型三极管介绍

双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个 PN 结结合在一起的器件，有 PNP 和 NPN 两种组合结构；外部引出三个极：集电极，发射极和基极，集电极从集电区引出，发射极从发射区引出，基极从基区引出（基区在中间）；BJT 有放大作用，重要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的，为了保证这一传输过程，一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小，另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置（加正向电压）、集电结要反偏置；BJT 种类很多，按照频率分，有高频管，低频管，按照功率分，有小、中、大功率管，按照半导体材料分，有硅管和锗管等；其构成的放大电路形式有：共发射极、共基极和共集电极放大电路。

STM32F411CEY3TR基于ARM? Cortex?-M4内核，采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator?，在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark，这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。

它由于采用了动态功耗调整功能，通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。

STM32F411CE属于STM32F4系列的入门级微控制器，是尺寸zui小、成本zui低的解决方案，具有卓越的动态功耗效率。

它带DSP和FPU，具有512 KB Flash、100 MHz CPU和ART加速器。

STM32F411CE具有高集成度，适合用于消费、工业和家电领域等各种应用，并可用于物联网 (IoT) 解决方案。

如有需要，欢迎联系，电话：0755-82524647，手机/微信：13049865222，QQ：1711624997。

STM32F411CEY3TR参数

料号 STM32F411CEY3TR

特性 带DSP和FPU的高性能基本型系列ARM Cortex-M4 MCU，具有512 KB Flash、100 MHz CPU和ART加速器

状态 Active

封装 WLCSP 49 3x3.2x0.6 P 0.4 mm

内核 Arm Cortex-M4

操作频率(MHz) 100

程序存储器大小 (kB) 512

双组闪存 -

数据RAM大小(kB) 128

计时器(16-bit) 6

计时器 (32-bit) 2

其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick

12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 1

通道数量 10

D/A转换器 -

输入/输出端数量 36

显示控制器 -

CAN接口数量 -

I2C接口数量 3

SPI接口数量 5

I2S接口数量 5

USART接口数量 3

UART接口数量 -

存储器扩展接口 -

USB类型 USB OTG FS

加密技术 -

TRNG -

电源电压 (V) min 1.7

电源电压(V) max 3.6

静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 1.8

工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 100

工作温度(°C) min -40

工作温度 (°C) max 125

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GD32F101R6T6

GD32F101R8T6

GD32F101RBH6

GD32F101RBT6

GD32F101RCT6

GD32F101RDT6

GD32F101RET6

GD32F101RFT6

GD32F101RGT6

GD32F101T4U6

GD32F101T6U6

GD32F101T8U6

GD32F101TBU6

GD32F101V8T6

GD32F101VBT6

GD32F101VCT6

GD32F101VDT6

GD32F101VET6

GD32F101VFT6

GD32F101VGT6

GD32F101ZCT6

GD32F101ZDT6

GD32F101ZET6

GD32F101ZFT6

GD32F101ZGT6

GD32F102C4T6

GD32F102C6T6

GD32F102C8T6

GD32F102CBT6

GD32F102R4T6

STM32F411CEY3TR