STM32F410TBY3TR
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STM32F410TBY3TR我们经常可以看到,在电源和地之间连接着去耦电容,它有三个方面的作用:一是作为二是滤除该器件产生的高频噪声,切断其通过供电回路进行传播的通路;三是防止电源携带的噪声对电路构成干扰。STM32F410TBY3TR
在电子电路中,去耦电容和旁路电容都是起到抗干扰的作用,电容所处的位置不同,称呼就不一样了。对于,旁路(bypass)电容是把输入信号中的高频噪声作为称退耦电容,是把输出信号的干扰作为比较小,根据谐振频率一般是 0.1u,0.01u 等;
而去耦合电容一般比较大,是 10u 或者更大,依据电路中分布参数,以及驱动电流的变化大小来确定。
数字电路中典型的去耦电容值是 0.1F。 电容的分布电感的典型值是 5H。0.1F 的去耦电容有 5H 的分布电感,它的并行共振频率大约在 7MHz 左右,也就是的去耦效果,对 40MHz 以上的噪声几乎不起作用。1F、10F 的电容,并行共振频率在 20MHz 以上,去除高频噪声的效果要好一些。每 10 片左右集成电路要加一片充放电电容,或 1 个蓄能电容,可选 10F 左右。zui好不用电解电容,电解电容是两层薄膜卷起来的,这种卷起来的结构在高频时表现为电感。要使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选用并不严格,可按C="1"/F,即 10MHz 取 0.1F,100MHz 取 0.01F。
它基于ARM? Cortex?-M4内核,采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator?,在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark,这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。
STM32F410TBY3TR由于采用了动态功耗调整功能,通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。
它属于STM32F4系列的入门级微控制器,是尺寸zui小、成本zui低的解决方案,具有卓越的动态功耗效率。
STM32F410TBY3TR带DSP和FPU,具有128 KB Flash、100 MHz CPU和ART加速器。
它具有高集成度,适合用于消费、工业和家电领域等各种应用,并可用于物联网 (IoT) 解决方案。
如有需要,欢迎联系,电话:0755-82524647,手机/微信:13049865222,QQ:1711624997。
STM32F410TBY3TR参数
料号 STM32F410TBY3TR
特性 支持BAM的STM32动态效率MCU,带DSP和FPU的高性能ARM Cortex-M4 MCU,具有128 KB Flash、100 MHz CPU和ART加速器
状态 Active
封装 WLCSP 36 2.6x2.6x0.6 P 0.4 mm
内核 Arm Cortex-M4
操作频率(MHz) 100
程序存储器大小 (kB) 128
双组闪存 false
数据RAM大小(kB) 32
计时器(16-bit) 4
计时器 (32-bit) 1
其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 1
通道数量 4
D/A转换器 1
输入/输出端数量 23
显示控制器 -
CAN接口数量 -
I2C接口数量 2
SPI接口数量 1
I2S接口数量 1
USART接口数量 2
UART接口数量 -
存储器扩展接口 -
USB类型 -
加密技术 -
TRNG -
电源电压 (V) min 1.7
电源电压(V) max 3.6
静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 2.6
工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 89
工作温度(°C) min -40
工作温度 (°C) max 125
作为ST代理分销商,深圳西昂特科技备有STM32F410TBY3TR现货并提供样品零售。公司承诺所有产品均为原装,图片批次仅为参考,新批次随时更新,如需了解更多品牌,产品型号规格请咨询我们的销售人员,我们将为你详细解答。如需技术支持,请向西昂特科技技术部寻求选型支持。
深圳西昂特科技除了以上STM32F410TBY3TR以外,还提供多种规格多种品牌的32.768KHZ,16MHZ,20MHZ,24MHZ,30 MHz等频率晶体及有源或温补晶振,时钟芯片,陀螺仪传感器,滤波器,双工器,连接器等。如有需要,欢迎垂询。
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