STM32F410TBY6TR
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STM32F410TBY6TR 什么是旁路电容和去耦电容、滤波电容及其作用
滤波电容-用在电源整流电路中,用来滤除交流成分。使输出的直流更平滑。
去耦电容-用在放大电路中不需要交流的地方,用来消除自激,使放大器稳定工作。
旁路电容_用在有电阻连接时,接在电阻两端使交流信号顺利通过。
去耦电容作用:去除在器件切换时从高频器件进入到配电网络中的 RF 能量。去耦电容还可以为器件供局部化的 DC 电压源,它在减少跨板浪涌电流方面特别有用。
旁路电容作用:从元件或电缆中转移出不想要的共模 RF 能量。这主要是通过产生 AC 旁路消除无意的能量进入敏感的部分, 还可以提供基带滤波功能(带宽受限)。
STM32F410TBY6TR基于ARM? Cortex?-M4内核,采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator?,在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark,这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。
STM32F410TBY6TR由于采用了动态功耗调整功能,通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。
它属于STM32F4系列的入门级微控制器,是尺寸zui小、成本zui低的解决方案,具有卓越的动态功耗效率。
STM32F410TBY6TR带DSP和FPU,具有256 KB Flash、84 MHz CPU和ART加速器。
它具有高集成度,适合用于消费、工业和家电领域等各种应用,并可用于物联网 (IoT) 解决方案。
如有需要,欢迎联系,电话:0755-82524647,手机/微信:13049865222,QQ:1711624997。
STM32F410TBY6TR参数
料号 STM32F410TBY6TR
特性 支持BAM的STM32动态效率MCU,带DSP和FPU的高性能ARM Cortex-M4 MCU,具有128 KB Flash、100 MHz CPU和ART加速器
状态 Active
封装 WLCSP 36 2.6x2.6x0.6 P 0.4 mm
内核 Arm Cortex-M4
操作频率(MHz) 100
程序存储器大小 (kB) 128
双组闪存 false
数据RAM大小(kB) 32
计时器(16-bit) 4
计时器 (32-bit) 1
其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 1
通道数量 4
D/A转换器 1
输入/输出端数量 23
显示控制器 -
CAN接口数量 -
I2C接口数量 2
SPI接口数量 1
I2S接口数量 1
USART接口数量 2
UART接口数量 -
存储器扩展接口 -
USB类型 -
加密技术 -
TRNG -
电源电压 (V) min 1.7
电源电压(V) max 3.6
静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 2.6
工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 89
工作温度(°C) min -40
工作温度 (°C) max 85
作为ST代理分销商,深圳西昂特科技备有STM32F410TBY6TR现货并提供样品零售。公司承诺所有产品均为原装,图片批次仅为参考,新批次随时更新,如需了解更多品牌,产品型号规格请咨询我们的销售人员,我们将为你详细解答。如需技术支持,请向西昂特科技技术部寻求选型支持。
深圳西昂特科技除了以上STM32F410TBY6TR以外,还提供多种规格多种品牌的32.768KHZ,16MHZ,20MHZ,24MHZ,30 MHz等频率晶体及有源或温补晶振,时钟芯片,陀螺仪传感器,滤波器,双工器,连接器等。如有需要,欢迎垂询。
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STM32L431VCT6
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