STM32F410TBY7TR
商品详情
STM32F410TBY7TR 选用电容电容器常识
1.电容器装接前应进行测量,看其是否短路、断路或漏电严重,并在装入电路时使电容器的标志顺序一致。
2.电路中电容两端的电压不能超过电容器本身的工作电压。装接时注意正、负极性不能装反(电解电容有正负极之分)。
3.当现有电容器与电路要求的容量或耐压不合适时,可以采用串联或并联的方法予以适应。当两个工作电压不同的电容器并联时,耐压值取决于低的电容器;当两个容量不同的电容器串联时,容量小的电容器所承受的电压高于容量大的电容器。
4.技术要求不同的电路,应选用不同类型的电容器。例如,谐振回路中需要介质损耗小的电容器,应选用高频陶瓷电容器(CC 型,即药片形)或云母电容器;隔直、耦合电容可选独石、涤纶、电解等电容器;低频滤波电路(即整流电路)一般应选用电解电容器;旁路电容可选涤纶、独石、陶瓷和电解电容器。 STM32F410TBY7TR
5.选用电容器时应根据电路中信号频率的高低来选择,一个电容器可等效成 R、L、C 二端线性网络,不同类型的电容器其等效参数 R、L、C 的差异很大。等效电感大的电容器(如电解电容器)不适合用于耦合、旁路高频信号;等效电阻大的电容器不适合用于 Q 值要求高的振荡回路中。为满足从低频到高频滤波旁路的要求,在实际电路中,常将一个容量大的电解电容器与一个小容量的、适合于高频的电容器并联使用。
STM32F410TBY7TR基于ARM? Cortex?-M4内核,采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator?,在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark,这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。
它由于采用了动态功耗调整功能,通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。
STM32F410TBY7TR属于STM32F4系列的入门级微控制器,是尺寸zui小、成本zui低的解决方案,具有卓越的动态功耗效率。
它带DSP和FPU,具有128 KB Flash、100 MHz CPU和ART加速器。
STM32F410TBY7TR具有高集成度,适合用于消费、工业和家电领域等各种应用,并可用于物联网 (IoT) 解决方案。
如有需要,欢迎联系,电话:0755-82524647,手机/微信:13049865222,QQ:1711624997。
STM32F410TBY7TR参数
料号 STM32F410TBY7TR
特性 支持BAM的STM32动态效率MCU,带DSP和FPU的高性能ARM Cortex-M4 MCU,具有128 KB Flash、100 MHz CPU和ART加速器
状态 Active
封装 WLCSP 36 2.6x2.6x0.6 P 0.4 mm
内核 Arm Cortex-M4
操作频率(MHz) 100
程序存储器大小 (kB) 128
双组闪存 false
数据RAM大小(kB) 32
计时器(16-bit) 4
计时器 (32-bit) 1
其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 1
通道数量 4
D/A转换器 1
输入/输出端数量 23
显示控制器 -
CAN接口数量 -
I2C接口数量 2
SPI接口数量 1
I2S接口数量 1
USART接口数量 2
UART接口数量 -
存储器扩展接口 -
USB类型 -
加密技术 -
TRNG -
电源电压 (V) min 1.7
电源电压(V) max 3.6
静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 2.6
工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 89
工作温度(°C) min -40
工作温度 (°C) max 105
作为ST代理分销商,深圳西昂特科技备有STM32F410TBY7TR现货并提供样品零售。公司承诺所有产品均为原装,图片批次仅为参考,新批次随时更新,如需了解更多品牌,产品型号规格请咨询我们的销售人员,我们将为你详细解答。如需技术支持,请向西昂特科技技术部寻求选型支持。
深圳西昂特科技除了以上STM32F410TBY7TR以外,还提供多种规格多种品牌的32.768KHZ,16MHZ,20MHZ,24MHZ,30 MHz等频率晶体及有源或温补晶振,时钟芯片,陀螺仪传感器,滤波器,双工器,连接器等。如有需要,欢迎垂询。
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