STM32F410T8Y6TR
商品详情
STM32F410T8Y6TR 电容器主要特性参数:
1、标称电容量和允许偏差标称电容量是标志在电容器上的电容量。
电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差,在允许的偏差范围称精度。
精度等级与允许误差对应关系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、 Ⅲ-±20%、 Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%)
一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级,根据用途选取。
2、额定电压
在zui低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的zui高直流电压有效值,一般直接标注在电容器外壳上,如果工作电压超过电容器的耐压,电容器击穿,造成不可修复的永久损坏。
STM32F410T8Y6TR
3、绝缘电阻
直流电压加在电容上,并产生漏电电流,两者之比称为绝缘电阻. 当电容较小时,主要取决于电容的表面状态,容量〉0.1uf 时,主要取决于介质的性能,绝缘电阻越小越好。
电容的时间常数:为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数,他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。
4、损耗
电容在电场作用下,在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值,电容的损耗主要由介质损耗,电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。
在直流电场的作用下,电容器的损耗以漏导损耗的形式存在,一般较小,在交变电场的作用下,电容的损耗不仅与漏导有关,而且与周期性的极化建立过程有关。
5、频率特性
随着频率的上升,一般电容器的电容量呈现下降的规律。
STM32F410T8Y6TR基于ARM? Cortex?-M4内核,采用了意法半导体的NVM工艺和ART Accelerator?,在高达84 MHz的工作频率下通过闪存执行时其处理性能达到225 DMIPS/608 CoreMark,这是迄今所有基于Cortex-M内核的微控制器产品所达到的zui高基准测试分数。
STM32F410T8Y6TR由于采用了动态功耗调整功能,通过闪存执行指令时的电流消耗大大降低。
STM32F410T8Y6TR属于STM32F4系列的入门级微控制器,是尺寸zui小、成本zui低的解决方案,具有卓越的动态功耗效率。
STM32F410T8Y6TR带DSP和FPU,具有64 KB Flash、100 MHz CPU和ART加速器。
STM32F410T8Y6TR具有高集成度,适合用于消费、工业和家电领域等各种应用,并可用于物联网 (IoT) 解决方案。
如有需要,欢迎联系,电话:0755-82524647,手机/微信:13049865222,QQ:1711624997。
STM32F410T8Y6TR参数
料号 STM32F410T8Y6TR
特性 支持BAM的STM32动态效率MCU,带DSP和FPU的高性能ARM Cortex-M4 MCU,具有64 KB Flash、100 MHz CPU和ART加速器
状态 Active
封装 WLCSP 36 2.6x2.6x0.6 P 0.4 mm
内核 Arm Cortex-M4
操作频率(MHz) 100
程序存储器大小 (kB) 64
双组闪存 false
数据RAM大小(kB) 32
计时器(16-bit) 4
计时器 (32-bit) 1
其他计时器功能 Dual Watchdog,RTC,SysTick
12bit ADC分辨率 ADC转换器数量 1
通道数量 4
D/A转换器 1
输入/输出端数量 23
显示控制器 -
CAN接口数量 -
I2C接口数量 2
SPI接口数量 1
I2S接口数量 1
USART接口数量 2
UART接口数量 -
存储器扩展接口 -
USB类型 -
加密技术 -
TRNG -
电源电压 (V) min 1.7
电源电压(V) max 3.6
静态电流 (μA) (@ Lowest Power) 2.6
工作电流 (μA) (Run Mode (per MHz)) 89
工作温度(°C) min -40
工作温度 (°C) max 85
作为ST代理分销商,深圳西昂特科技备有STM32F410T8Y6TR现货并提供样品零售。公司承诺所有产品均为原装,图片批次仅为参考,新批次随时更新,如需了解更多品牌,产品型号规格请咨询我们的销售人员,我们将为你详细解答。如需技术支持,请向西昂特科技技术部寻求选型支持。
深圳西昂特科技除了以上STM32F410T8Y6TR以外,还提供多种规格多种品牌的32.768KHZ,16MHZ,20MHZ,24MHZ,30 MHz等频率晶体及有源或温补晶振,时钟芯片,陀螺仪传感器,滤波器,双工器,连接器等。如有需要,欢迎垂询。
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