CSD18504Q5A
规格信息：

制造商:Texas Instruments

产品种类:MOSFET

RoHS:是

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:VSONP-8

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:40 V

Id-连续漏极电流:50 A

Rds On-漏源导通电阻:6.6 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:1.5 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:16 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:77 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:NexFET

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:6 mm

系列:CSD18504Q5A

晶体管类型:1 N-Channel Power MOSFET

宽度:4.9 mm

商标:Texas Instruments

开发套件:EM1402EVM

下降时间:2 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:6.8 ns

工厂包装数量:2500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:12 ns

典型接通延迟时间:3.2 ns