制造商:Taiwan Semiconductor

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:20 V

Id-连续漏极电流:5.8 A

Rds On-漏源导通电阻:20 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:- 10 V, + 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV

Qg-栅极电荷:7.7 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.56 W

通道模式:Enhancement

配置:Single

晶体管类型:1 N-Channel

类型:N-Channel

商标:Taiwan Semiconductor

正向跨导 - 最小值:6.5 S

下降时间:7.6 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:11.6 ns

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:23.9 ns

典型接通延迟时间:4.1 ns

单位重量:1.438 g