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IC37首页 > 元器件 > 库存电子元器件、材料 > 抗辐射512K×8bit SRAM YK9Q512ERH

抗辐射512K×8bit SRAM YK9Q512ERH

公司名称:
北京耐芯威科技有限公司
订货量:
(个):>=1
发货地点:
北京市/北京市
产品类别:
库存电子元器件、材料
更新时间:
2020-10-16

商品详情

YK9Q512ERH是一款高性能、异步、抗辐射512K×8bit静态随机存取存储器,容量达到4Mbit,采用单电源供电。其读写操作由三个控制信号完成:片选信号、读/写使能信号和输出使能信号。当片选有效为低电平时,8位I/O上的数据被写入存储器件﹔当片选有效为高电平且输出使能为低电平时,存储器中的数据被读出,并被输出到8位I/0端口。

主要特点

兼容型号Aeroflex公司UT9Q512E/UT8Q512E

存储容量512K×8bit

工作电压4.5V5.5V3.0V3.6V

读写时间20ns

接口电平TTL电平

抗辐射指标总剂量100K RadSi

单粒子闩锁阈值75MeV·cm2/mg

单粒子翻转错误率≤1×10-10错误/·

封装形式CFP36

外形尺寸23.37mm×21.2mm标准成型尺寸


产品型号

类型

容量

bit

读取时间

ns

工作电压

V

输入电平

封装形式

兼容型号

YK9Q512ERH

SRAM

512K×8

20

单电源53.3

TTL

CFP36

UT8Q512E

UT9Q512E


供应商信息

  • 公司:北京耐芯威科技有限公司
  • 联系人:刘先生
  • 电话:96-010-62104931/62104891/62104578
  • 手机:13621148533
  • 传真:
  • Email:sales@ic118.com
  • QQ:2880824479 1344056792
  • 地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1009室
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