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IC37首页 > 元器件 > eof > SISS27DN-T1-GE3

SISS27DN-T1-GE3

公司名称:
深圳市金嘉锐电子有限公司
价  格:
电议
订货量:
(个):>=1
发货地点:
广东省/深圳
产品类别:
eof
更新时间:
2025-02-25

商品详情

制造商:Vishay

产品种类:MOSFET

RoHS: 详细信息

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8

晶体管极性:P-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:30 V

Id-连续漏极电流:50 A

Rds On-漏源导通电阻:5.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:1 V

Qg-栅极电荷:92 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

Pd-功率耗散:57 W

通道模式:Enhancement

商标名:TrenchFET, PowerPAK

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

配置:Single

系列:SIS

晶体管类型:1 P-Channel

商标:Vishay Semiconductors

正向跨导 - 最小值:52 S

下降时间:10 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:5 ns

工厂包装数量:3000

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:65 ns

典型接通延迟时间:16 ns

单位重量:109.307 mg


供应商信息

  • 公司:深圳市金嘉锐电子有限公司
  • 联系人:朱先生
  • 电话:086-0755-22929859
  • 手机:13530907567
  • 传真:086-0755-83238620
  • Email:xczykj168@163.com
  • QQ:2643490444
  • 地址:深圳市福田区振兴路华康大厦2栋211
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