SISS27DN-T1-GE3
商品详情
制造商:Vishay
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:SMD/SMT
封装 / 箱体:PowerPAK-1212-8
晶体管极性:P-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:30 V
Id-连续漏极电流:50 A
Rds On-漏源导通电阻:5.6 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:1 V
Qg-栅极电荷:92 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:57 W
通道模式:Enhancement
商标名:TrenchFET, PowerPAK
封装:Cut Tape
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:Single
系列:SIS
晶体管类型:1 P-Channel
商标:Vishay Semiconductors
正向跨导 - 最小值:52 S
下降时间:10 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:5 ns
工厂包装数量:3000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:65 ns
典型接通延迟时间:16 ns
单位重量:109.307 mg



