ON Semiconductor

制造商零件编号

NVMFS5C468NLT1G

描述

MOSFET N-CH 40V SO8FL

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS3)规范要求湿气敏感性等级（MSL）1（无限）详细描述表面贴装型-N-通道-40V-3.5W（Ta）-28W（Tc）-5-DFN（5x6）（8-SOFL）

一般信息

数据列表	NVMFS5C468NL;
标准包装	1,500
包装	标准卷带
零件状态
类别	分立半导体产品
产品族	晶体管 - FET，MOSFET - 单
系列	-
其它名称	NVMFS5C468NLT1G-ND NVMFS5C468NLT1GOSTR

规格

FET 类型	N 通道
技术	MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）	40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	-
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）	10.3 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）	7.3nC @ 10V
Vgs（最大值）	±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）	570pF @ 25V
FET 功能	-
功率耗散（最大值）	3.5W（Ta），28W（Tc）
工作温度	-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型	表面贴装型
供应商器件封装	5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳	8-PowerTDFN

无线通信集成芯片，无线射频收发芯片 TI-Chipcon无线射频芯片: CC1101RGPR CC2541F256RHAR CC2500RGPR CC2531F256RHAR CC1020RSSR CC1100ERGPR CC1110F32RHHR CC110LRGPR CC113LRGPR CC115LRGPR CC1120RHBR CC1121RHBR CC1125RHBR CC1150RGVR CC1175RHBR CC1200RHBR CC1310F128RGZR CC1310F128RHBR CC1310F128RSMR CC2510F32RHHR CC2511F32RSPR CC2520RHDR CC2530F256RHAR CC2538SF53RTQR CC2540F256RHAR CC2543RHBR CC2544RHBR CC2592RGVR CC2640R2FRHBR CC2642R1FRGZR CC2650F128RGZR NRF52832-QFAA-R

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