STW40N60M2,分立半导体产品
商品详情
全新原装,公司现货销售
型号:STW40N60M2
品牌:ST
封装:TO247
参数:
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):34A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):88 毫欧 @ 17A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):57nC @ 10V
Vgs(最大值):±25V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):2500pF @ 100V
FET 功能:-
功率耗散(最大值):250W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳|:TO-247-3



