IPP65R045C7
商品详情
IPP65R045C7
特征描述:
650V 电压
具有突破性且出色的R DS(on)/封装
减少储存在输出电容中的能量 (Eoss)
低栅极电荷Qg
通过使用更小的封装或减少零部件节省空间
在超结技术领域拥有 12 年的制造经验
优势:
提高安全裕度，适用于 SMPS 和太阳能逆变器应用
低通态损耗/小封装
低开关损耗
提高轻载效率
增加功率密度
出色的CoolMOS™质量
目标应用:
指标参数
| Parametrics | IPP65R045C7 |
|---|---|
| Budgetary Price €€/1k | 5.55 |
| ID (@25°C) max | 46.0 A |
| ID max | 46.0 A |
| IDpulsmax | 212.0 A |
| Mounting | THT |
| Operating Temperature min | -55.0 °C |
| Ptotmax | 227.0 W |
| Package | TO-220 |
| Pin Count | 3.0 Pins |
| Polarity | N |
| QG (typ @10V) | 93.0 nC |
| QG | 93.0 nC |
| RDS (on) (@10V) max | 45.0 mΩ |
| RDS (on)max | 45.0 mΩ |
| Rth | 0.55 K/W |
| RthJAmax | 62.0 K/W |
| RthJCmax | 0.55 K/W |
| Special Features | highest performance |
| VDSmax | 650.0 V |
| VGS(th)minmax | 3.0 V 4.0 V |
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