制造商: Toshiba

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220FP-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 15.8 A

Rds On-漏源导通电阻: 190 mOhms

Qg-栅极电荷: 43 nC

Pd-功率耗散: 40 W

配置: Single

商标名: DTMOSIV

高度: 15 mm  

长度: 10 mm  

系列: TK16A60W5  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.5 mm  

商标: Toshiba  

产品类型: MOSFET  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

单位重量: 6 g