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科锐基于氮化镓高电子迁移率晶体管的单片微波集成电路

基于氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)可在小占位尺寸封装中实现极宽的带宽。与硅或砷化镓相比，氮化镓具有出色的性能，包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的导热性。与硅和砷化镓晶体管相比，氮化镓高电子迁晶体管具有更高的功率密度和更宽的带宽。

CMPA1D1E025F应用

雷达

宽频带放大器

卫星&点对点无线电

数据链&战术数据链

干扰放大器

测试设备放大器

海军雷达  

CMPA1D1E025F         射频放大器 GaN MMIC Power Amp 13.75-14.5GHz 25Watt