制造商

Vishay Siliconix

制造商零件编号

SI7617DN-T1-GE3

描述

MOSFET P-CH 30V 35A 1212-8 PPAK

对无铅要求的达标情况/对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级 （MSL）1（无限）

标准包装  3,000

包装  标准卷带  

零件状态在售

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列TrenchFET®

规格

FET 类型P 沟道

技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）35A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）12.3 毫欧 @ 13.9A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）59nC @ 10V

Vgs（最大值）±25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1800pF @ 15V

FET 功能-

功率耗散（最大值）3.7W（Ta），52W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装

供应商器件封装PowerPAK® 1212-8

封装/外壳PowerPAK® 1212-8