制造商: Toshiba

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

配置: Single

商标名: DTMOSIV

高度: 15.1 mm  

长度: 10.16 mm  

系列: TK100E10N1  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.45 mm  

商标: Toshiba  

产品类型: MOSFET  

子类别: MOSFETs