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制造商: STMicroelectronics

产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)  

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: NPN

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 400 V

集电极—基极电压 VCBO: 1.05 kV

发射极 - 基极电压 VEBO: 12 V

集电极—射极饱和电压: 0.6 V

最大直流电集电极电流: 4 A

最小工作温度: - 65 C

最大工作温度: + 150 C

系列: 500V to 1000V Transistors

直流电流增益 hFE 最大值: 100  

高度: 9.15 mm (Max)  

长度: 10.4 mm (Max)  

封装: Tube  

宽度: 4.6 mm (Max)  

商标: STMicroelectronics  

集电极连续电流: 4 A  

直流集电极/Base Gain hfe Min: 48  

Pd-功率耗散: 70 W  

产品类型: BJTs - Bipolar Transistors  

工厂包装数量: 1000  

子类别: Transistors  

单位重量: 6 g

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