制造商: IXYS

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-3P-3

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 55 V

Id-连续漏极电流: 182 A

Rds On-漏源导通电阻: 5 mOhms

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 360 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

高度: 20.3 mm  

长度: 15.8 mm  

系列: IXTQ182N055  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.9 mm  

商标: IXYS  

下降时间: 38 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 35 ns  

工厂包装数量: 30  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 53 ns  

典型接通延迟时间: 36 ns  

单位重量: 5.500 g