制造商: Diodes Incorporated

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-963-6

通道数量: 2 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 20 V

Id-连续漏极电流: 240 mA

Rds On-漏源导通电阻: 3 Ohms

Vgs th-栅源极阈值电压: 0.45 V

Vgs - 栅极-源极电压: 4.5 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

配置: Dual

Pd-功率耗散: 300 mW

通道模式: Enhancement

封装: Reel

产品: MOSFET Gate Drivers  

系列: DMN26  

晶体管类型: 2 N-Channel  

类型: Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET  

商标: Diodes Incorporated  

正向跨导 - 最小值: 180 mS  

下降时间: 15.2 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 7.9 ns  

工厂包装数量: 10000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 13.4 ns  

典型接通延迟时间: 3.8 ns