制造商: Qorvo

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:  详细信息  

晶体管类型: HEMT

技术: GaN SiC

增益: 22.9 dB

Id-连续漏极电流: 28 A

输出功率: 1500 W

最大漏极/栅极电压: 225 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

Pd-功率耗散: 758 W

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: NI-1230-4

封装: Tray

应用: Avionics, IFF Transponders  

配置: Dual Gate Dual Drain  

工作频率: 1 GHz to 1.1 GHz  

系列: QPD  

商标: Qorvo  

开发套件: QPD1025LEVB1  

湿度敏感性: Yes  

产品类型: RF JFET Transistors  

工厂包装数量: 18  

子类别: Transistors