制造商: Cree, Inc.

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS:  详细信息  

晶体管类型: HEMT

技术: GaN

增益: 16 dB

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 120 V

Vgs-栅源极击穿电压 : - 10 V, 2 V

Id-连续漏极电流: 6 A

输出功率: 45 W

最大漏极/栅极电压: -

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: -

安装风格: Screw

封装 / 箱体: 440193

封装: Tray

工作频率: DC to 4 GHz  

商标: Wolfspeed / Cree  

正向跨导 - 最小值: -  

开发套件: CG2H40045F-TB  

产品类型: RF JFET Transistors  

工厂包装数量: 120  

子类别: Transistors  

Vgs th-栅源极阈值电压: - 3.8 V