制造商: NXP

产品种类: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:  详细信息  

晶体管极性: Dual N-Channel

Id-连续漏极电流: 43 A

Vds-漏源极击穿电压: 193 V

增益: 25.1 dB

输出功率: 1800 W

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 150 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: NI-1230H-4S

工作频率: 1.8 MHz to 400 MHz  

系列: MRFX1K80H  

类型: RF Power MOSFET  

商标: NXP Semiconductors  

正向跨导 - 最小值: 44.7 S  

通道数量: 2 Channel  

Pd-功率耗散: 2247 W  

产品类型: RF MOSFET Transistors  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

Vgs - 栅极-源极电压: - 6 V, 10 V  

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V  

单位重量: 13.159 g