制造商: STMicroelectronics

产品种类: MOSFET

RoHS:  详细信息  

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PowerFLAT-8

通道数量: 1 Channel

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 107 A

Rds On-漏源导通电阻: 5 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V

Qg-栅极电荷: 72.5 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

配置: Single

Pd-功率耗散: 136 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q100

封装: Cut Tape

封装: Reel

晶体管类型: 1 N-Channel  

商标: STMicroelectronics  

下降时间: 20 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 38 ns  

工厂包装数量: 3000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 48 ns  

典型接通延迟时间: 33 ns