In addition to our LED in the UV, visible and infrared spectral range EPIGAP Optronic GmbH offers a wide variety of photodiodes, from 150 nm in the ultraviolet up to 2600 nm in the infrared range.

These include large InGaAs photodiodes with an active area of up to 3 mm diameter. The InGaAs photodiodes have low dark currents and high sensitivity. In addition to the standard wavelengths of 800 nm to 1700 nm - as chip or in hermetic TO package - we provide the extended InGaAs photodiodes with increased sensitivity in the far infrared range of up to 2600 nm.

EPIGAP has a wide array of photodiodes in the UV range, based on materials such as GaN and SiC.
　

 

Starting point for any optoelectronic solution is the LED chip, which essentially determines the later product characteristics of the LED. EPIGAP Optronic offers high end LED chips beginning in the deep UV range at 265 nm up to the high-infrared region at 4000 nm which have a very good degradation stability and high efficiency.

Excellent measurement supports the production and ensures compliance with the quality requirements. The chips can be selected according to optical and electrical parameters with an accuracy of up to ±3 nm.

Custom chip layouts for monolithic display chips and also for high power chips round out the profile. Expert advice starting from development, through product selection to the point of producing efficient solutions completes our service.