SK70DT16

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SK70DT16德国原装进口可控整流桥

SK70DT16产品简介

SK70DT16尺寸封装

SK70DT16，肖特基二极管的优异动态特性显著增加了模块的输出功率。给定芯片设置，该设置被选择用于较高开关频率下实现最佳性能，30kHz下的可用输出电流可以增加超过70%。随着开关频率的进一步升高，混合SiC模块所带来的好处甚至更大。较低的损耗和由此而产生更大模块级功率输出可以以几种方式被利用。逆变器的重量和体积可显著减少，这对诸如汽车和航空航天应用很重要。利用高开关频率，采用较小的LC滤波器是可能的，这可以减少逆变器尺寸和成本。最后但并非最不重要的是，更低的损耗在能效方面也是显著的优势，对诸如太阳能、UPS和汽车应用很重要。全SiC模块使用如SiCMOSFETS这样的SiC开关，可进一步降低功率模块的整体损耗。在表2中，对比了1200V、25A的三相桥IGBT模块和20A全SiC组件的静态和动态损耗。25AIGBT6-packMini-SKiiP13AC12T420AFull-SiC6-packMini-SKiiP13ACM12V15VCE20A,150°C1,8V2,1VEON150°C,20A,600V2,7mJ0,9mJEOFF1,9mJ0,3mJ表2：1200V、25AIGBT模块(沟道型IGBT+CAL二极管)与20A全SiC模块(SiCMOSFET和SiC肖特基二极管)之间的静态和动态损耗对比全SiC模块的静态损耗高17%，而动态损耗显著降低：导通损耗低3倍，关断损耗低超过6倍。从而，一个完整的SiC模块的可用输出功率大大高于传统的硅技术，特别是在较高的开关频率下。更多现货型号

SK70DT16

SKIIP13NAB065V1

SKKT162-12E

SKKT57-12E

SKM145GAL176D

SKM75GB176D

SKT551-16E

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